BSB015N04NX3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation12/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：180A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.5毫歐@30A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：142nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：12000pF@20V功率-最大值：89W安裝類型：表面貼裝封裝：3-WDSON供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAKM?
